品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5920pF@20V
连续漏极电流:36A€113A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6152A
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@22.5V
连续漏极电流:58A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6152A
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€208W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@22.5V
连续漏极电流:58A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4060SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4.3A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: