品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SEMIQUARZ
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GP2T040A120H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:322W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3.192nF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SEMIQUARZ
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GP2T040A120H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:322W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3.192nF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SEMIQUARZ
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GP2T040A120H
工作温度:-55℃~+175℃
功率:322W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3.192nF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L080N120SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:2.75V@5mA
栅极电荷:56nC@-5V/20V
包装方式:管件
输入电容:1.112nF@800V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
反向传输电容:6.5pF@800V
导通电阻:80mΩ@20V,20A
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF4C120070K4S
类型:1个N沟道
功率:217W
阈值电压:6V@10mA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:91mΩ@20A,12V
漏源电压:1.2kV
栅极电荷:37.8nC@15V
输入电容:1.37nF@800V
连续漏极电流:27.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: