采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
漏源电压：75V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
功率：250W
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
包装方式：管件
栅极电荷：160nC@10V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
