品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7148DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@35V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7148DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@35V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7148DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@35V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7148DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@35V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ486EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1386pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@51A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@35V
连续漏极电流:17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: