品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NC45R-AP
工作温度:-65℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
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连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NC45R-AP
工作温度:-65℃~150℃
功率:3.1W
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导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NC45R-AP
工作温度:-65℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.7V@250µA
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连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NC45R-AP
工作温度:-65℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:256pF@25V
类型:2N沟道(双)
功率:1.64W
漏源电压:450V
阈值电压:4.5V@1mA
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:256pF@25V
类型:2N沟道(双)
功率:1.64W
漏源电压:450V
阈值电压:4.5V@1mA
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
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