品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):56 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):56 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):56 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):56 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:47kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:10kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):56 @ 50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:散装
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@50mA,5V
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
销售单位:个
功率:246mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
输入电阻:4.7kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
晶体管类型:PNP - 预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:47kOhms
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: