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    漏源电压
    连续漏极电流: 1.8A
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数5000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数5000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数5000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数5000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10V,600mA

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数100个
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数100个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10V,600mA

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数2000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订数2000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5Ω@10V,1.1A

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数30个
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数30个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10V,600mA

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数10个
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订数10个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50μA

    栅极电荷:11nC@10V

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10V,600mA

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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