采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3-ES
功率：20.8W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN7410
功率：20.8W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.8nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：14mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
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功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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栅极电荷：9.8nC@10V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：900mW
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：900mW
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类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：9.8nC@10V
功率：900mW
导通电阻：18mΩ@7A，10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：25A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LFV-13
输入电容：500pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：9.8nC@10V
功率：900mW
导通电阻：18mΩ@7A，10V
阈值电压：2V@250µA
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