品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC090SMA070S
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC090SMA070S
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
栅极电荷:10nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:25.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
栅极电荷:10nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:25.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":558}
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:51mΩ
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
栅极电荷:10nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:25.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2V
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:51mΩ
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
输入电容:2.35nF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@90μA
漏源电压:250V
功率:136W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2V
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:51mΩ
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2V
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:51mΩ
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2V
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:51mΩ
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: