采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070S
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070S
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
输入电容：2.35nF@100V
栅极电荷：29nC@10V
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@90μA
漏源电压：250V
功率：136W
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：25A
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.725nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@10V，5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.725nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@10V，5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.725nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@10V，5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M20-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@25V
导通电阻：16.3mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W€21W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W€21W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M20-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：1.85V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@25V
导通电阻：15.8mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M20-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@25V
导通电阻：16.3mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M20-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@25V
导通电阻：16.3mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
功率：83W
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1.024nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M20-40HX
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.3nC@10V
输入电容：427pF@25V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：22pF@25V
导通电阻：16.3mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€136W
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.725nF@25V
导通电阻：52mΩ@10V，5A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
