品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC090SMA070S
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC090SMA070S
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
输入电容:2.35nF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@90μA
漏源电压:250V
功率:136W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W€21W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W€21W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP600N25N3GXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:1.85V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:15.8mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
功率:83W
导通电阻:50mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:1.024nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M20-40HX
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:7.3nC@10V
输入电容:427pF@25V
连续漏极电流:25A
反向传输电容:22pF@25V
导通电阻:16.3mΩ@10V,10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: