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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
