采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
