销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03J
功率:48W
阈值电压:1.45V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5AT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: