品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03J
功率:48W
阈值电压:1.45V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1A+":6000}
包装规格(MPQ):204psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0390DPA-00#J5A
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:8.9nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1A+":6000}
包装规格(MPQ):204psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0390DPA-00#J5A
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:8.9nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6426
功率:48W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6426
功率:48W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3150G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.4nF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:177pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6426
功率:48W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6426
功率:48W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1A+":6000}
包装规格(MPQ):204psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0390DPA-00#J5A
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:8.9nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1A+":6000}
包装规格(MPQ):204psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0390DPA-00#J5A
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:8.9nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: