品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"00+":1425,"18+":364,"95+":700}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFP064N
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@59A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP110N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N7F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP064NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@59A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP120NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:233nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N7F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP120NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:233nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:213nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N7F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB120NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:233nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3247pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@62A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7710pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: