采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：110A
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3247pF@25V
栅极电荷：146nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：7mΩ@50A，10V
栅极电荷：50.9nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：2280pF@25V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：163nC@10V
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N-Channel
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
功率：3.75W€375W
栅极电荷：160nC@10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：6700pF@25V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF3205PBF
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：110A
导通电阻：8mΩ@62A，10V
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3247pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：400psc
生产批次：{"00+"：1425，"18+"：364，"95+"：700}
规格型号(MPN)：AUIRFP064N
输入电容：4000pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
栅极电荷：170nC@10V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF3205PBF
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
连续漏极电流：110A
导通电阻：8mΩ@62A，10V
包装方式：管件
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3247pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
输入电容：7710pF@25V
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
输入电容：10000pF@40V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：6280pF@40V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：6280pF@40V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF
输入电容：4000pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
栅极电荷：170nC@10V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP110N10F7
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：5500pF@50V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
功率：150W
包装方式：管件
导通电阻：7mΩ@55A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：7mΩ@50A，10V
栅极电荷：50.9nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：2280pF@25V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"00+"：1425，"18+"：364，"95+"：700}
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFP064N
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@59A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N-Channel
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N-Channel
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N-Channel
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
