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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
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行业应用：工业,汽车
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功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：3.8nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：412pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
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