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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@5A，10V
输入电容：1735pF@50V
类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：45mΩ@5A，10V
输入电容：1735pF@50V
类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
