品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V@590μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:1.94nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1700}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2180,"22+":1297}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R105CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4709}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R105CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4709}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD24N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:230W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3.5nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@25V
导通电阻:220Ω@10V,10A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1700}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R145CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA12BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4W
阈值电压:2.4V
栅极电荷:10nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:4.3mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: