采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7410
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7410
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7410
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：33pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
