采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3432_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3432_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3432_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
