品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0100TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@25µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10B08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:497pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75208W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:2P沟道(双)共源
导通电阻:68mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13302WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:862pF@6V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:345mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.96nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:198pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: