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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
栅极电荷：23.7nC@5V
漏源电压：500V
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
输入电容：645pF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.6A
功率：100W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
输入电容：645pF@25V
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
包装方式：管件
连续漏极电流：1.6A
功率：100W
导通电阻：10Ω@800mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
输入电容：645pF@25V
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
包装方式：管件
连续漏极电流：1.6A
功率：100W
导通电阻：10Ω@800mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N100D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@800mA，0V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
