品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4302pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":159}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4302pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: