品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070S
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0060065K
工作温度:-40℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.6V@5mA
栅极电荷:46nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1020pF@600V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@13.2A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA105N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:40.5W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":75,"23+":50500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1624pF@50V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:26.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1624pF@50V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:26.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP35N15G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: