品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.8nC@10V
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:350mΩ@10V,600mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:200mΩ@10V,1.3A
栅极电荷:4.4nC@5V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
漏源电压:30V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
阈值电压:1.3V@250μA
输入电容:125pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V
类型:1个P沟道
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存: