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    连续漏极电流
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    行业应用
    连续漏极电流: 1.1A
    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:3
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订数303000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订数303000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:350mΩ@10V,600mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:500mW

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:200mΩ@10V,1.3A

    栅极电荷:4.4nC@5V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3433-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3433-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3433-AU_R1_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    漏源电压:30V

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    阈值电压:1.3V@250μA

    输入电容:125pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:370mΩ@1.1A,4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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