采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：405，"22+"：243}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
输入电容：430pF@25V
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：405，"22+"：243}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
功率：42W
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
输入电容：1170pF@25V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
