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    连续漏极电流: 6.5A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1100+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3590 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3590 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3590

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.18nF@40V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7313TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7313TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7313TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:29mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订1392个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订1392个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6630A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    输入电容:383pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA70R750P7SXKSA1 起订875个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA70R750P7SXKSA1 起订875个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":76,"18+":38961,"19+":43500,"21+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA70R750P7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:21.2W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@400V

    包装方式:管件

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW4E065GNTCL1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW4E065GNTCL1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1066.4pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:15mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF7N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM240N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM240N03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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