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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8662-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
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输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
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输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8662-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
工作温度：150℃
漏源电压：40V
功率：1.1W
输入电容：195pF@20V
阈值电压：2.5V@10µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
功率：1.1W
输入电容：195pF@20V
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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