品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN085-150K,518
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.31nF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9620PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:3.5A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3830,"22+":6159}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3830,"22+":6159}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC634P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN085-150K,518
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.31nF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: