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    连续漏极电流: 100A
    阈值电压: 4V@250µA
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG80050E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG80050E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUG80050E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@75V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTB-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG80050E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG80050E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUG80050E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@75V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG90090E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG90090E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUG90090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:395W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:129nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5220pF@100V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N8F6 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5955pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP100N03S2-03 起订258个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP100N03S2-03 起订258个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"02+":400}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP100N03S2-03

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7020pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG90090E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUG90090E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUG90090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:395W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:129nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5220pF@100V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N6F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1407STRLPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@78A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4004SCTBQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4305pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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