品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":88,"21+":427,"22+":342,"23+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N06S205ATMA4
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5110pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:170nC@10V
连续漏极电流:100A
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB100N03S203T
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4840pF@40V
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB100N03S203T
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7020pF@25V
漏源电压:30V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@80A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":499,"14+":5000,"21+":10000,"22+":984}
规格型号(MPN):IPB100N04S204ATMA4
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
栅极电荷:172nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1407STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:7.8mΩ@78A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: