采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTK3004A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2.68nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：330pF@15V
导通电阻：2.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：240pF@40V
导通电阻：6.5mΩ@10V，46A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：250W
栅极电荷：64nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：5mΩ@30A，10V
输入电容：3.4nF@30V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
阈值电压：2.2V@93μA
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
类型：1个N沟道
输入电容：13nF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：79nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：250W
栅极电荷：64nC@10V
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：5mΩ@30A，10V
输入电容：3.4nF@30V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
漏源电压：80V
功率：1.6W
导通电阻：4mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTK3004A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2.68nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：330pF@15V
导通电阻：2.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTK3004A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2.68nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：330pF@15V
导通电阻：2.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
