品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155μA
栅极电荷:117nC@10V
输入电容:8.13nF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTK3004A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2.68nF@15V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:330pF@15V
导通电阻:2.9mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP075N15N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:2V
栅极电荷:93nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:6.2mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H4M6SPS-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:66nC
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB072N15N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT100N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:143W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.7nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@30V
导通电阻:6mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N06N
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:66nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4-H2
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:2V
栅极电荷:90nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:2.1mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:143W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:240pF@40V
导通电阻:6.5mΩ@10V,46A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB072N15N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40020EL_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:17.8mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: