采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E020SPTL
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.3nC@5V
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
