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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV4C020ZPHZGTCR1
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：260mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2301ALT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：600mV@250μA
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：10pF@15V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2301ALT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：600mV@250μA
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：10pF@15V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
