品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XM2N200
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4.5V,1A
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
功率:3W
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
功率:3W
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
功率:3W
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
功率:3W
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XM2N200
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4.5V,1A
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XM2N200
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4.5V,1A
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XM2N200
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:560mΩ@4.5V,1A
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存: