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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16410Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@12.5V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：55，"06+"：1394，"07+"：5579，"08+"：632817，"11+"：2190，"14+"：5000，"16+"：4400，"17+"：900，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STA302A
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：4A
功率：3W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A
包装方式：管件
晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFG35003NT1
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：3984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFG35003N6T1
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT456P
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：1440pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17307Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€73A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17307Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@15V
连续漏极电流：14A€73A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2389ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@20V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：94mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16340Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：9.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@12.5V
连续漏极电流：21A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
