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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3475(TE12L，F)
功率：3W
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3475(TE12L，F)
功率：3W
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3475(TE12L，F)
功率：3W
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2014
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：17.5nC@4.5V
输入电容：1.71nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.8mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2301ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3475(TE12L，F)
功率：3W
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3985EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
