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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
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功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ZVN4306GVTA
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功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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导通电阻：330mΩ@3A，10V
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
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功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ZVN4306GVTA
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功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3W
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4310GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.67A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
