采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5140pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5140pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5387pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB37N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA28N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：310W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5387pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB34N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
