采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.7nC@10V
输入电容：735pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP360N60EC_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：87.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.7nC@10V
输入电容：735pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KNXC7G
功率：53W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
阈值电压：4V@250μA
功率：31W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
栅极电荷：21.8nC@10V
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
输入电容：770pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
功率：90W
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.75V@250μA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：30W
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
输入电容：735pF@400V
栅极电荷：18.7nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，5.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.99nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL19N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：308mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3
功率：33W
阈值电压：3.9V@500μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
功率：110W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：580pF@100V
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，5.5A
栅极电荷：17nC@10V
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
