包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

输入电容：763pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@3.2A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

包装方式：管件

输入电容：901pF@50V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@5.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

输入电容：763pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@3.2A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

输入电容：763pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@3.2A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

包装方式：管件

输入电容：901pF@50V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@5.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

包装方式：管件

输入电容：901pF@50V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@5.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.8W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：4.8nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：14.7nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

导通电阻：439mΩ

栅极电荷：23nC

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：14.7nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2867}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：14.7nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：14.7nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

包装方式：管件

输入电容：901pF@50V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@5.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2867}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2867}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380F

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.8W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：4.8nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2867}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31.3W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

输入电容：763pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@3.2A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT65R380D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：90W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：14.7nC@10V

输入电容：560pF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

反向传输电容：1.2pF@25V

导通电阻：330mΩ@10V，5.5A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2867}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPP11N60C3XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：125W

阈值电压：3.9V@500μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：60nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1.2nF@25V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：380mΩ@7A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1