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    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N65C3 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N65C3 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N65C3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.9V

    栅极电荷:45nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:11A

    类型:MOSFET

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R190C7 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R190C7 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R190C7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:72W

    阈值电压:3.5V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF990N65EC_T0_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF990N65EC_T0_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:22.5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.774nF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFD 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFD 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R660CFD

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:22nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:6A

    类型:MOSFET

    导通电阻:1.544Ω

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4PS 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4PS 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H150G4PS

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.8V

    栅极电荷:8nC

    包装方式:管件

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:180mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW50N65DM6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW50N65DM6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW50N65DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:52.5nC@10V

    输入电容:52.5nF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB125N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB125N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:181W

    阈值电压:4.5V@590μA

    栅极电荷:46nC@10V

    输入电容:1.94nF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW68N65DM6-4AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW68N65DM6-4AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW68N65DM6-4AG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    输入电容:5.9nF@100V

    连续漏极电流:72A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:39mΩ@36A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF360N65S3R0L-F154 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF360N65S3R0L-F154 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:27W

    阈值电压:4.5V@200μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:310mΩ@10V,5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF360N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF360N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF360N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@700μA

    栅极电荷:17.5nC@10V

    输入电容:916pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.96mΩ@10V,5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4PS 起订1000个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4PS 起订1000个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H150G4PS

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.8V

    栅极电荷:8nC

    包装方式:管件

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:180mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R055CFD7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R055CFD7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@900μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.194nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R420CFD 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R420CFD 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R420CFD

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83.3W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.7A

    类型:MOSFET

    导通电阻:420mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD360N65S3T4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD360N65S3T4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD360N65S3T4G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@200μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:756pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD250N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R055CFD7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R055CFD7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@900μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.194nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":417,"22+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订数10个
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订数10个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3.33nF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,17A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R090CFD7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R090CFD7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@630μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.513nF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:90mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL067N65S3H 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL067N65S3H 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL067N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:266W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.75nF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,20A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF11N65A-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF11N65A-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LDG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LDG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LDG-TR 起订10个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H070LDG-TR 起订10个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.8V@700μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@16A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订数5个
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订数5个

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3.33nF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,17A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF250N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF250N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@1.1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.261nF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:201mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB099N65S3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB099N65S3 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB099N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@740μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.48nF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCHD040N65S3-F155 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCHD040N65S3-F155 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1265}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:417W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:136nC@10V

    输入电容:4.74nF@400V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBL050N65S3H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@4.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.88nF@400V

    连续漏极电流:49A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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