采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.528nF@100V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
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连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
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功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
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连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STO68N65DM6
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导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
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类型：1个N沟道
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漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
漏源电压：650V
输入电容：3.528nF@100V
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.75V@250μA
类型：1个N沟道
功率：240W
连续漏极电流：55A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20250}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
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连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
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连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：650V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4V@3.9mA
类型：1个N沟道
输入电容：3.75nF@400V
功率：266W
导通电阻：55mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
