采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH62N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@31A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@31A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
