品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH62N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:4.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@6.8mA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6513pF@400V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTB62N50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:800W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:550nC@20V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@31A,20V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTB62N50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:800W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:550nC@20V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@31A,20V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH62N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:4.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@31A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@31A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB62N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1560W
阈值电压:6.5V@8mA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13600pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@31A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2614
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@31A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB62N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1560W
阈值电压:6.5V@8mA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13600pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@31A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTB62N50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:800W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:550nC@20V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@31A,20V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTB62N50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:800W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:550nC@20V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@31A,20V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: