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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
栅极电荷：65nC@5V
功率：42W
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：4300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
