品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:410pF@15V
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5065
工作温度:150℃
功率:4.8W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:管件
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:4个N通道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:410pF@15V
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: