采购热线 400-661-9010
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560A60Y，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@350µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5112
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：500mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5117
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：250mΩ@3.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1521
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1058-E
工作温度：150℃
功率：100W
包装方式：管件
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
漏源电压：160V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
输入电容：1200pF@25V
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560A65Y，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：200W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
